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高真空电子束复合热蒸发镀膜机
型号:PVEB-8      品牌:SHIWEI是维

该设备可以镀出高纯度高精度的薄膜,可制备金属单质膜、半导体膜、有机膜等。


工作原理:在高真空条件下利用电子束准确地轰击坩埚内靶材,使靶材融化进而沉积在基片上,在基底上凝结形成薄膜。


主要特点:

1、本设备采用一体化设计,具有较高的性价比,性能稳定,可为待蒸发的物质提供更高的热量,蒸镀的速率也更快;

2、电子束定位精准,可以避免坩埚材料的蒸发和污染;

3、该设备功能先进,PLC触摸屏控制,操控方便,结构紧凑,占地面积小


标配一台E型电子枪,另可选配1-2组金属源或者1-2组有机束源炉。特别适用于蒸发高熔点材料(如SiO2,AL2O3,Al、Au、Ag、Ni、Ti、Cr、Pt等)。
01
技术优势
自主研发多项核心专利技术。
拥有材料、物理、光电、机械、集成电路等技术团队学科交叉。
以用户深度需求为导向,多维度多专业融合衔接。产品功能完善,精益求精,品质卓越,安全易用。
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经验优势

技术、研发、售前、售后团队均在业内从事多年,拥有丰富的行业经验和项目经验,并可结合客户多层次需求,量身推荐工艺应用方案。

先进材料合成生长器件制备工艺生产全流程多个典型应用案例。

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成本优势
通过掌握核心技术自主研发降本增效。品质与价格从源头把控。降低投入、减少维护费用及运行成本。
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服务优势
服务是根本,服务是源头。
全流程+360度无忧服务

  真空腔室

  Φ500×630mm;

  真空系统

  复合分子泵+旋片机械泵系统,气动真空阀门;

  极限真空

  优于2.0×10-5Pa;工作真空≤5.0×10-4Pa;

  真空抽速

  从大气抽至5.0×10-4Pa≤30min;

  真空测量

  “两低一高”数显复合真空计;

  蒸发源

  2组水冷式电阻蒸发源,并配有隔板及挡板,兼容金属与有机蒸发,可实现共蒸;

  电子枪

  E型电子枪,功率8KW,6穴坩埚;

  基片台夹具

  根据需求定制掩膜板;

  气路控制

  100sccm质量流量计1套;

  膜厚仪  国产膜厚仪;可选配进口Inficon SQM-160单水冷探头膜厚仪,测量精度0.1Å;

  控制方式

  PLC+触摸屏智能控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障;

  报警及保护  对真空泵、膜厚仪探头、电极等缺水、过流过压等异常情况进行报警并执行相应保护措施;

  设备尺寸

  L60cm×W60cm×H85cm 机电一体化机架,预留1个 CF35 法兰接口。

技术参数
功能优势

先进性

1、独立开发的 PLC+触摸屏智能操作系统,具有智能控制模式和调试维修模式;

2、控制系统具备漏气自检与提示功能,当设备漏气时,系统会自动提示设备漏气,以便用户进行检漏,保证设备正常稳定运行;

3、控制系统具备保养维护提示功能,当设备运行达到一定时长,系统会自动提示设备需要维护保养,以便用户及时进行维护,保证设备正常稳定运行;

4、控制系统具备通讯故障自检功能,系统对分子泵、溅射电源、真空规、电机、流量计等部件的通讯进行自检,如果某个部件出现故障,可以按照系统中的各部件故障查询办法进行查询,及时确认故障原因,保证设备安全;

5、控制系统具备数据记录与导出功能,控制系统记录设备的操作记录及镀膜过程数据,可以在系统中查看这些数据,也可以用 U 盘导出这些数据;

6、该系统具备三个等级级密码保护功能,不同等级不同使用权限,确保设备的安全性和数据的保密性;

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Four

设备主要零部件采用进口或国内知名品牌,保证了设备的质量及稳定性;

03

Three

稳定性

实用性

1、设备集成度高,结构紧凑,占地面积小,可以放置于实验桌面上或者手套箱内;

2、自主研发的水冷式高温电阻蒸发源可以蒸镀一些熔点高的难熔金属,比如TiCr

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One

方便性

1、设备需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接线及安装调试简单,既保证了设备使用方便又保证了设备的整洁性;

2、设备可将主机置于手套箱内,水、电、气等通过 KF40 接口接到手套箱外, 与手套箱的对接灵活方便;

3、设备工作电压为 220V,整机功率小于 2KW,对实验室的供电要求低;

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Two

应用领域

高真空电子束复合热蒸发镀膜机,标配一台E型电子枪,另可选配1-2组金属源或者1-2组有机束源炉;适用于蒸发高熔点材料(如SiO2,AL2O3,Al、Au、Ag、Ni、Ti、Cr、Pt等)。广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等,专用于蒸镀一些光学薄膜等。

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