满足真空行业关于真空系统设备研发，生产，检验，操作使用等相关标准。

配有安全阀、静电防护及电器线路防爆设计，满足电气工业安全标准，杜绝发生安全事故。

系统设备原理设计先进，结构紧凑，占地面积小，可以放置于实验桌面或通风橱内。

系统采用集成模块化设计生产，组装安装调试简单，易于操作方便使用。

SW-CVT真空气相输运制备系统，主要包括高真空封管机和高温管式炉两部分组成，原料被石英管抽真空封管后在高温炉管式炉中生长制备目标材料。封管机和管式炉即可单独使用也可以组合成CVT化学气相输运系统和CVD化学气相沉积系统。

真空封管机主要适用于对材料样品在石英试管中真空环境状态下（或保护气氛下）完成封管；在试管预抽真空后，试管管壁材料经高温熔融并在外部大气压的作用下和管内石英柱体融接在一起而形成真空密封。该系统可密封的试管材料可以是普通的硼酸盐玻璃也可以是石英玻璃，设备可通过变换不同的卡套连接各种外径的试管。试管在真空密封过程中的旋转速度可以在一定的范围内进行调节，方便配合不同管径试管和焊枪的使用。封管机自带放气和充气装置。

高温管式炉：控制系统国际领先，具有安全可靠、操作简单、控温精度高（PID控制）、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可通气氛抽真空(选配)等特点，主要用于高性能材料制备，材料的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）、CVT工艺等。可应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。

为生长制备优异性能的低维材料，采用真空气相输制备（又称CVT法，化学反应助升华法）是目前广泛采用的方式，该方法原理是利用化学可逆反应在不同温度下反应朝不同方向进行而生长晶体的方法 ，具有设备简单、成本低效率高、生长温度低和晶体质量高的突出特点。

一维材料：如采用真空封管法在高温下用硼粉对碳纳米管进行掺杂，可改变碳纳米管的晶体结构和电子结构，从而改变碳纳米管的物理性能。【掺杂是指在化合物原有成分的基础上，在合成或后处理过程中掺入少量的其它元素来实现对材料的改性】。

晶体生长：适用于生长各种单晶、多晶及功能晶体材料生长。

杂化材料：如MOFs金属有机骨架化合物，共价有机框架材料COFs等。

半导体材料及器件：晶圆热处理，掺杂等。

零维材料、光电材料/OLED光电功能材料、量子材料/微纳材料、复合材料非贵金属材料，镍泡沫基底复合材料等。

二维材料及器件：

如黑磷BP、MoS2、过渡金属硫族化合物TMDs、三元过渡金属磷硫化合物MPS，二维过渡金属碳化物Mxene等，均可以通过CVT (Chemical vapor transport) 气相输运法制备。