满足真空行业关于真空系统设备研发，生产，检验，操作使用等相关标准。

配有安全阀、静电防护及电器线路防爆设计，满足电气工业安全标准，杜绝发生安全事故。

系统设备原理设计先进，结构紧凑，占地面积小，可以放置于实验桌面或通风橱内。

系统采用集成模块化设计生产，组装安装调试简单，易于操作方便使用。

CVDT化学气相沉积输运系统具有CVD化学气相沉积和CVT化学气相输运两大功能模块。由高真空封管机，高精度多温区管式炉，流量计及控制单元等部分组成。根据材料类型和实验安排，该系统两大功能模块即可联合使用也可以独立使用。

选件：真空油泵/干泵/分子泵真空机组；材料样品转移装置（与净化手套箱配合使用）；箱式炉/管式炉；电火花真空检测仪；应力测试仪；真空管接头；液氮冷阱；机台；高纯石英管；气体流量计控制单元。

该系统广泛用于二维材料（0D/1D/2D），热电材料，能源材料，光电材料，半导体材料，金属材料，纳米材料，磁性材料，超导材料等材料生长制备，已经被全球众多高校、科研院所和企业使用，特别是材料实验，科学研究和先进材料研发等领域，成为众多先进材料实验研发的必备专用仪器。

为生长制备优异性能的低维材料，采用化学气相沉积（CVD/Chemical Vapor Deposition）和化学气相输运（CVT/Chemical Vapor Transport/化学反应助升华法）是都是目前广泛采用的方式，其中CVD化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。CVT法是利用化学可逆反应在不同温度下反应朝不同方向进行而生长晶体的方法 ，具有设备简单、成本低效率高、生长温度低和晶体质量高的突出特点。

CVDT化学气相沉积输运系统是把CVD化学气相沉积和CVT化学气相输运复合联用生长制备二维材料。

一维材料：如采用真空封管法在高温下用硼粉对碳纳米管进行掺杂，可改变碳纳米管的晶体结构和电子结构，从而改变碳纳米管的物理性能。【掺杂是指在化合物原有成分的基础上，在合成或后处理过程中掺入少量的其它元素来实现对材料的改性】。

晶体生长：适用于生长各种单晶、多晶及功能晶体材料生长。

杂化材料：如MOFs金属有机骨架化合物，共价有机框架材料COFs等。

半导体材料及器件：晶圆热处理，掺杂等。

零维材料、光电材料/OLED光电功能材料、量子材料/微纳材料、复合材料非贵金属材料，镍泡沫基底复合材料等。

二维材料及器件：

如黑磷BP、MoS2、过渡金属硫族化合物TMDs、三元过渡金属磷硫化合物MPS，二维过渡金属碳化物Mxene等，均可以通过CVT (Chemical vapor transport) 气相输运法制备。